Multi-Gate-Feldeffekt-Transistor, so heißt laut Infineon eine wahrscheinliche Lösung vieler Probleme auf dem Weg zu noch kleineren integrierten Schaltungen, die bei gleicher Funktionalität mit wesentlich weniger Strom auskommen, als heute verfügbare planare Standard-Technologien. Forscher von Infineon haben die neue Transistorarchitektur in 65 nm Strukturgröße jetzt als weltweit erste mit komplexen Schaltungen getestet. Bei rund 30 Prozent kleinerem Flächenbedarf als bei heutigen Single-Gate-Schaltungen mit gleicher Funktion und Geschwindigkeit wurden dabei Ruheströme gemessen, die um mehr als den Faktor 10 kleiner waren. Nach Berechnungen der Forscher verdoppelt sich dadurch die Energieeffizienz und Batterielaufzeit von portablen Geräten im Vergleich zu den gerade aktuellen 65 nm-Technologien. Für zukünftige Technologiegenerationen (32 nm, 22 nm) wird dieser Wert noch signifikant zunehmen.
Die von den Infineon-Forschern getesteten Schaltungen enthalten über 3.000 aktive Transistoren in der dreidimensionalen Multi-Gate-Technologie. Die Ergebnisse belegen, dass sie genauso leistungsfähig wie heutige ausgereifte Technologien ist, aber bei gleicher Funktionalität gut nur die Hälfte an Energie braucht. Der Bau von Schaltungen in einer Multi-Gate-Technologie kann sowohl auf Standard Silizium Substrat oder auf Silizium auf Oxid (SOI) mit den heute herkömmlichen Herstellungsprozessen und den heute üblichen Werkstoffen erfolgen. Weiterhin eröffnet sich durch die Nutzung der dritten Dimension ein weiterer Vorteil: bei gleicher Anzahl der Transistoren auf einem Chip wird die pro Transistor aktiv genutzte Silizium-Fläche effektiv verkleinert und damit Silizium eingespart.
Das neue Herstellungsverfahren wird von Infineon im Rahmen seiner Beteiligung am europäischen Forschungszentrum IMEC (Interuniversity Micro Electronics Center, Leuven, Belgien) noch weiter erforscht und könnte in fünf bis sechs Jahren als Basistechnologie für die Serienfertigung zum Einsatz kommen.
In der modernen digitalen Welt wächst die Nachfrage nach extrem schnellen und zuverlässigen Datenübertragungen stetig. Diese Anforderungen haben die Entwicklung...
Mit der FRITZ!Box 4690 präsentiert AVM einen neuen WLAN-Router. Die FRITZ!Box 4690 lässt sich einfach am vorhandenen Glasfasermodem oder Router...
Wer neu in die Gaming-Welt einsteigt oder den Schritt vom Casual Gamer zum ambitionierten Spieler wagt, stellt sich früher oder...
KIOXIA gab heute die Entwicklung seiner neuen 122,88 Terabyte (TB) großen NVMe-SSD der LC9-Serie bekannt. Der Speicher ist im 2,5-Zoll-Formfaktor...
Der Intel Vorstand ernannte gestern, am 12. März, Lip-Bu Tan zum neuen Chief Executive Officer (CEO) des Unternehmens. Damit setzt...
Mit der GeForce RTX 5080 X3 OC von INNO3D haben wir ein weiteres Custom-Design auf Basis der neuen Blackwell-Architektur im Testlab empfangen. Mehr zum Praxistest des Boliden in unserem Artikel.
Die neue 2024er-Version der EVO Plus microSDXC-Speicherkarte von Samsung ist mit bis zu 1 TB erhältlich und bietet 160 MB/s lesend, statt 130 MB/s wie beim Vorgänger aus 2021. Mehr dazu im Test.
Nachdem wir vor ein paar Tagen und pünktlich zur Marktverfügbarkeit die RTX 5080 1-Click OC von KFA2 angetestet haben, folgt nun der gewohnt ausführliche Review des Blackwell-Boliden.
Die Nubert nuPro XS-4000 RC sind nicht nur für die Verwendung am Computer geeignet, sondern kommen auch mit HDMI ARC, Bluetooth und Fernbedienung.